| 型号：SI7949DP-T1-E3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? SO-8 双 | 描述：MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 3.2A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 64 毫欧 @ 5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 40nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市汇景欣电子有限公司 | 黎小姐0755-23051326 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生86-0755-82561519 |
| 深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市鸿鑫格电子科技有限公司 | 刘18674491576 |
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
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2312（6032 公制）
CAP TANT 10UF 16V 10% 2312
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179-LFBGA
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2312（6032 公制）
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4-SMD，无引线（DFN，LCC）
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- SI7946DP-T1-GE3
FET - 阵列
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MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
- NP04SA220M
固定式
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非标准
INDUCTOR 22UH 530MA 20% SMD
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2312（6032 公制）
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2917（7343 公制）
CAP TANT 15UF 35V 10% 2917
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4-SMD，无引线（DFN，LCC）
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非标准
INDUCTOR 22UH 510MA 20% SMD
- SR201A560JAR
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CAP CER 56PF 100V 5% RADIAL
- SI7949DP-T1-GE3
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4-SMD，无引线（DFN，LCC）
OSC MEMS 27.000 MHZ 2.5V SMD
- T83E106K063EZZL
钽
Vishay Sprague
2917（7343 公制）
CAP TANT 10UF 63V 10% 2917
